Samsung удваивает объем NAND-памяти
30th Апрель 2007
Компания Samsung сообщает о начале массового производства чипов NAND-флэш-памяти объемом 16 Гбит, изготовленных по 51-нм технологическому процессу. Отметим, что предыдущим достижением южнокорейской корпорации является изготовление микросхем емкостью 8 Гбит по 60-нм техпроцессу, о чем общественность узнала в августе прошлого года. Переход на использование более “тонкого” техпроцесса и повышение емкости чипов флэш-памяти, по заявлениям Samsung, позволило
повысить эффективность производства на 60%, по сравнению с 60-нм чипами, а также повысить производительность микросхем.
Из заявленных компанией Samsung характеристик 51-нм чипов NAND-флэш-памяти отметим следующие:
скорость чтения информации - 30 Мбайт/с;скорость записи информации - 8 Мбайт/с.
Сравнивая с характеристиками микросхем флэш-памяти предыдущего поколения, производительность новинок повысилась почти вдвое - на 80%. Что интересно, новые микросхемы имеют и некоторые архитектурные, в частности, увеличенный вдвое размер страницы памяти - до 4 Кбайт. Но это, по официальным сведениям, не приведет к необходимости модификации уже существующих интерфейсов памяти конечных устройств, музыкальных плееров, мобильных телефонов, компактных накопителей, сообщается о необходимости лишь модификации программной части.